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击穿

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rating, absolute maximum

绝对最大额定值

rating current 额定电流 | rating, absolute maximum 绝对最大额定值 | rating, breakdown 击穿额定值

acceptor

受主

3.4.2 受主(acceptor)掺杂材料 3.5 热平衡状态的PN结 3.6 施加正向偏置电压的PN结 3.7 反向偏置二极管 3.8 理想二极管方程 3.9 二极管内的电荷存储 3.10 正向偏置二极管内的电荷存储 3.11 双极性二极管的反向恢复 3.12 反向击穿 3.13 二极管数据手册 3.14 肖特基二极管 3.15 本章习题 3.16 参考文献第4章 双极性晶体管模型

avalanche diode

雪崩二极管

12、 雪崩二极管(Avalanche Diode) 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管. 产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,

Bismarck

俾斯麦号

1941年5月24日,"俾斯麦"号"(Bismarck)战列舰和"欧根亲王"号 (Prinz Eugen)重型巡洋舰击沉了英国海军"胡德"号(Hood)战列巡洋舰后,并又重创了"威尔士亲王"号(Prince of Wales)战列舰,但在战斗中"俾斯麦"号战列舰也被英舰击穿舰首燃料舱,

variable bound

可变上下界,可变约束

variable block format 可变程序块格式,可变块格式 | variable bound 可变上下界,可变约束 | variable break down device 可变击穿器件装置

disruptiveness

破裂性

disruptivegradient 击穿梯度 | disruptiveness 破裂性 | disruptivepotentialgradient 击穿电势陡度

expulsion gap

灭弧间隙

streamer breakdown 流注击穿 | expulsion gap 灭弧间隙 | surface breakdown 表面击穿

voltage, puncture

击穿电压

一次电压 voltage, primary | 击穿电压 voltage, puncture | 额定电压 voltage, rated

spark-over

绝缘击穿

socket 插座 | spark over 绝缘击穿 | stabilizator 稳压器

Disruptive Discharge Voltage

击穿放电电压

放电电压 Discharge Voltage | 击穿放电电压 Disruptive Discharge Voltage | 抗正负极反接 Resistance to Random Connection

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debug:调试功能

并具有在系统下载(ISP)和调试功能(DEBUG). 仿真频率 4-33 MHz 晶振可选,系统配置 11.0592 MHz . RAM采用62256静态RAM. ROM 原则上采用单片机内部FLASH-ROM. 扩展I2C接口的FLASH ROM. 系统考虑应用系统保存数据的需要,

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