击穿

breakdown

击穿

介质阻挡放电通常是由正弦波型(sinusoidal)、交流(alternating current, AC)和高压电源驱动,随着供给电压的升高,系统中反应气体的状态会经历三个阶段的变化,即会由绝缘状态(insulation)逐渐至击穿(breakdown)最后发生放电.

breakdown voltage

击穿电压

随着近来IDM大厂的投入,SiGe 技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdown voltage)过低等问题获得改善而日趋实用. 除了上述的制程外,其它逐步应用在无线通信高频组件的基材还有磷化铟(InP)或GaAs on Si等制程. 前者较砷化镓更适于高频应用,

breakdown voltage

崩溃电压 (台) 击穿电压

Breakaway Panel 可断开板 (台) 可断拼板 | Breakdown Voltage 崩溃电压 (台) 击穿电压 | Bright Dip 光泽浸渍处理 (台) 浸亮

Voltage Breakdown

(崩)溃电压 (台) 击穿电压

Thin Small Outline Packange (TSOP) 薄小型积体电路器 (台) 薄小外形封装 | Voltage Breakdown (崩)溃电压 (台) 击穿电压 | Voltage Plane Clearance 电压层的空环 (台) 电源层隔离

Voltage Breakdown

击穿电压

voltage bias 偏压 | voltage breakdown 击穿电压 | voltage changer 电压变换器

breakover current

击穿电流

breaking-through curve 贯流曲线 | breakover current 击穿电流 | breeder 滋生反应器

Avalanche Breakthrough

雪崩击穿

选址 Site Selection | 雪崩击穿 Avalanche Breakthrough | 寻呼 Paging

collector current runaway

集电极电流击穿

collector current cut-off 集电极电流截止 | collector current runaway 集电极电流击穿 | collector cylinder 收集极圆筒

destruction test

破坏性试验断裂试验击穿试验

destruction test 破坏性试验 | destruction test 破坏性试验断裂试验击穿试验 | destruction 破坏

disruptive discharge

击穿放电

stibous 亚锑的 | disruptive discharge 击穿放电 | group variety 群簇

MGM Grand：美高梅金殿

上个月,45岁的何超琼与美国米高梅幻象集团(MGM Mirage)合资12.5亿美元建立的"美高梅金殿"(MGM Grand)博彩酒店在澳门开张,何超琼再次成为聚光灯的焦点.

debug：调试功能

并具有在系统下载(ISP)和调试功能(DEBUG). 仿真频率 4-33 MHz 晶振可选,系统配置 11.0592 MHz . RAM采用62256静态RAM. ROM 原则上采用单片机内部FLASH-ROM. 扩展I2C接口的FLASH ROM. 系统考虑应用系统保存数据的需要,