绝缘层

bonding

连接

求>>明确定义了建筑物通信机房接地(grounding) 和连接(bonding)方法,TIA/EIA-568-B.1 及ISO/IEC11801:2002 特别要求配线架、机柜及金属线槽/线管必须用直径至少为6 AWG (4mm) 的带绝缘层的铜导体连接到配线间的接地铜排(TGB)上,

Carlist

拥护卡洛斯争取西班牙王位者

Carlism | 拥护卡洛斯争取西班牙王位者 | Carlist | 拥护卡洛斯争取西班牙王位者 | Carlite | 一种(镀于硅钢片上的)绝缘层

Insulation Corkboard

黑水松

insulation 绝缘;绝热 | Insulation Corkboard 黑水松 | insulation lagging 绝缘层

coil cradle

卷材进给装置,卷材进给装置,卷料架,卷料架,开卷机的带卷座

coil covering 线圈包扎层,线圈绝缘层 | coil cradle 卷材进给装置,卷材进给装置,卷料架,卷料架,开卷机的带卷座 | coil curl 线圈

dipping

浸涂

表面处理的施工可采用下列三种方法:1、刷涂(Brushing)2、浸涂(Dipping)3、喷涂(Spraying)硅钢片绝缘涂层材料 到目前为止,在导电钢片上形成一层绝缘层的技术以及涂料的配方已经有许多.

EPA

静电保护区域

另外的辅助物诸如耗散性鞋类或踵带和合适的衣服,都是设计用来防止人员在静电保护区域(EPA)移动时累积和保持净电荷. 来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;

fermi level

费米能阶

[9]VFB = 平能带(flatband)电压φF = 费米能阶(Fermi level)到本质费米能阶φms = 闸极与半导体提取位能(extraction potentials)的差距透过一些技巧可达到低临界电压值,例如修正闸极绝缘层的厚度(我们将在稍后说明).

gauss distribution

高斯分布

且该第二预定深度大于该第一预定深度;一金氧半导体晶体管(MOS transistor)制作于该半导体晶片上并电连接于该光感测区;以及一第一导电型式的深掺杂区形成于该绝缘层下方的基底中,且该深掺杂区的掺质浓度与深度呈一高斯分布(Gauss distribution).

layer, hardware interface

硬件接口层

layer, function management 功能管理层 | layer, hardware interface 硬件接口层 | layer, insulating 绝缘层

quantum tunneling

量子隧穿

电子对可以通过所谓的量 子隧穿 (quantum tunneling),越过这 道绝缘层. 如果用微波照射约瑟夫森 结,超导体中的电子对就可以吸收微波 中的光子,飞越间隙. 这时,绝缘层 两端的电压将是 hf/2e 的整数倍,其中 h 为普朗克常数,f 为微波辐射的频率,

of a composite function：复合函数之导数

Derivative :导数 | of a composite function :复合函数之导数 | of a constant function :常数函数之导数

enriched lake：富营养湖

LRPA Long-Range Patrol Aircraft 远程巡逻飞机 | enriched lake 富营养湖 | bang it about 决胜负 诉诸武力