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FET Integrated injection logic:集成注入逻辑

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interconnect:互连

成为后CMOS时代结束后最有希望的接班技术?以下是Meindl所提供的六个理由?2. 其载流子迁移率(carrier mobility)超过200,000cm2/Vs,为硅的100-1000倍;6. 能做为场效应晶体管(FET)的源/通道极,也能做为互连(interconnect).

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