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fet:场效应管

这是因为输入级的温度漂移正比于内部失 调电压.假如内部失调电压已 被调整到最小,那么漂移也最小;假如用外部失调电压来补偿 放大器,那么漂移是不能减小的.但以场效 应管(FET)为输入级的运算放大器,它的失调电压 和漂移是独立的,

fet:場效電晶體

870.(1) 场效电晶体 (FET) 工作时靠 ①电压②电流③电阻④电容 来控制其电流大小. 876.(3) 上升时间 (Rise Time) 之定义是波形由 ①0 100 %②5% 95 %③10 % 90 %④50 %882.(3) 一个时间常数 (Time Constant) 是表示输出信号达到饱和值的 ①26.8 %②50 %③63 %④75999.(3) 电脑中的快取记忆体 (Cache Memory) 是使用下列何种

fet:抚顺城

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gaas fet:砷化镓场效应晶体管

本文对采用介质谐振器进行稳定的砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)振荡器随温度变化而发生的长时间频率漂移从理论和实验两方面作了分析研究. 人们发现,介质材料的稳定性和品质因数有某些限制,另外谐振频率的温度特性是非常合乎线性的.

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