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bank:存储体

该控制器负责控制八个存储体(bank),这八个存储体由一个高性能的SDRAM、一个GPCM和可多达三个的UPMs所共享. 因此它支持到SDRAM、SRAM、EPROM、flash EPROM、可突发RAM、常规DRAM设备、扩展数据输出DRAM设备和其他一些外部设备的最小粘结逻辑接口.

cache memory:快取记忆体

差异在於DRAM一个位元只使用一个电晶体,需要周期性地补充电源,以保持记忆体内资料不会流失,SRAM每个位元使用6个电晶体组成,不需要周期性地补充电源,速度较快,价格也较高. 主记忆体一般都是使用DRAM,快取记忆体(Cache Memory)则是采用SRAM.

endure:忍受

花旗:DRAM开始进入烧钱(burn cash)阶段既然已进入"烧钱阶段",各大厂比的就是谁的本钱粗,Jay Choi指出,以忍受(endure)期间来看,三星电子可撑最久、约为十二季,其余DRAM业者平均只能撑二.五六季,其中美光为三.六季、力晶与南科则分别为二.三与二.一季,

flash EPROM:忆擦

Keeping Pace With DRAM Techmology 跟上DRAM技术发展的步伐 | Flash EPROM 忆擦EPROM | SCSI--The Smart Subsystem SECI--智能子系统

faster:较快

主机硬盘自动检测(IDE HDD Auto Detection)功能设置:主机系统芯片组(ChipSet Features)特定功能设置DRAM 可调至最快(Fastest),其他70nsDRAM 或老式的DRAM 可调较快(Faster)内存的差错检测与纠正(ECC)/奇偶校验(Parity)

multi-user:多用户*作系统

DRAM : Dynamic Random Access Memory 动态随机访问存储器 | MPDRAM : Multiport DRAM : Dynamic Random Access Memory 多端口的动态随机访问存储器 | Multi-user 多用户*作系统

Nibble Mode:半拜模式

四位字,尼,半拜,四位字节,半字节 nibble | 半拜模式 nibble mode | 半拜模式 DRAM Nibble Mode DRAM

trench:沟道

根据此次协议,奇梦达将把该公司80nm工艺沟道(Trench)技术转让给中芯国际的北京工厂,中芯国际将利用该技术为齐梦达生产DRAM. 中芯国际的北京工厂一直从事基于300mm晶圆的DRAM生产. 另外,此次协议还包括将来把奇梦达的75nm工艺技术转让给中芯国际这一选择性条款.

volatile memory:挥发性内存

使用了DRAM技术的内存的一个重要特点就是它们属于挥发性内存(volatile memory),也就是说一旦断电,它里面的数据就会消失. 换句话说,DRAM内存里面的数据之所以能够存在,实际上是依靠不断供电来刷新才得以保持的. 然而,

Disaggregated Residential Allocation Model DRAM:细分居住分配模式

Disaggregate Travel Demand Model 个体旅运需求模式 | Disaggregated Residential Allocation Model DRAM 细分居住分配模式 | Disaggregation model 分散模式

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baldness:禿 頭

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moss:藓

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coefficient of variation:变动系数

作为消费者决策的预算约束条件,收入可以进入间接效用函数,而消费作为当事人决策的结果进入直接效用函数(或Marshalllog deviation)就是广义Theil(0)指数,而变动系数(coefficient of variation)平方的一半等于广义Theil(2)指数,